反向传输电容(Crss):276pF,导通电阻(RDS(on)):30mΩ@4.5V,5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):31.9nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):1848pF@15V,连续漏极电流(Id):7A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 276pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V,5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 31.9nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 1.4W | |
输入电容(Ciss) | 1848pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 7A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |