反向传输电容(Crss):125pF@15V,导通电阻(RDS(on)):42mΩ@10V,4A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.5W,输入电容(Ciss):840pF@15V,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 125pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V,4A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 2个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 1.5W | |
输入电容(Ciss) | 840pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |