BCBF120N21M1实物图
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BCBF120N21M1

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品牌名称
Bestirpower(萃锦半导体)
厂家型号
BCBF120N21M1
商品编号
C51346557
商品封装
TO-263-7L
商品毛重
0.001千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
-

商品参数

反向传输电容(Crss):17pF,导通电阻(RDS(on)):21mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):198nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):469W,输入电容(Ciss):3741pF,输出电容(Coss):224pF,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):3V

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属性参数值其他
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)17pF
导通电阻(RDS(on))21mΩ
工作温度-55℃~+175℃
栅极电荷量(Qg)198nC
漏源电压(Vdss)1200V
类型1个N沟道
耗散功率(Pd)469W
输入电容(Ciss)3741pF
输出电容(Coss)224pF
连续漏极电流(Id)100A
阈值电压(Vgs(th))3V

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