BCBF65N45M1实物图
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BCBF65N45M1

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品牌名称
Bestirpower(萃锦半导体)
厂家型号
BCBF65N45M1
商品编号
C51346556
商品封装
TO-263-7L
商品毛重
0.001千克(kg)
包装方式
管装
ECCN
-

商品参数

反向传输电容(Crss):9.1pF,导通电阻(RDS(on)):45mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):56nC,漏源电压(Vdss):650V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):150W,输入电容(Ciss):1048pF,输出电容(Coss):131pF,连续漏极电流(Id):44A,阈值电压(Vgs(th)):2.8V

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属性参数值其他
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)9.1pF
导通电阻(RDS(on))45mΩ
工作温度-55℃~+175℃
栅极电荷量(Qg)56nC
漏源电压(Vdss)650V
类型1个N沟道
耗散功率(Pd)150W
输入电容(Ciss)1048pF
输出电容(Coss)131pF
连续漏极电流(Id)44A
阈值电压(Vgs(th))2.8V

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