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ID:6A VDSS:1700V RDON:700mR N沟道
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- HC3M001K170J
- 商品编号
- C22449551
- 商品封装
- TO-263-7L
- 商品毛重
- 0.002234千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
导通电阻(RDS(on)):700mΩ,导通电阻(RDS(on)):700mΩ@20V,工作温度:-55℃~+175℃,漏源电压(Vdss):1700V,类型:1个N沟道,连续漏极电流(Id):6.7A,阈值电压(Vgs(th)):1.8V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 漏源电压(Vdss) | 1700V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥27.614/个 |
| 10+ | ¥23.848/个 |
| 50+ | ¥21.182/个 |
| 100+ | ¥18.911/个 |
| 500+ | ¥17.864/个 |
| 1000+ | ¥17.389/个 |
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