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BCBF170N1000P1
扩展库- 品牌名称
- Bestirpower(萃锦半导体)
- 厂家型号
- BCBF170N1000P1
- 商品编号
- C52269251
- 商品封装
- TO-263-7L
- 商品毛重
- 0.00213千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):1.8pF,导通电阻(RDS(on)):1000mΩ@18V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):16.2nC,漏源电压(Vdss):1700V,类型:单管,耗散功率(Pd):51W,输入电容(Ciss):182pF,输出电容(Coss):11.2pF,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):3.1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1000mΩ@18V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.2nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1700V | |
| 类型 | 单管 | |
| 耗散功率(Pd) | 51W | |
| 输入电容(Ciss) | 182pF | |
| 输出电容(Coss) | 11.2pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.1V |
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