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碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- MSC750SMA170SA-HXY
- 商品编号
- C48972191
- 商品封装
- TO-263-7L
- 商品毛重
- 0.002322千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):2.2pF,导通电阻(RDS(on)):910mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):16.5nC,漏源电压(Vdss):1700V,耗散功率(Pd):86W,输入电容(Ciss):285pF,输出电容(Coss):15.3pF,连续漏极电流(Id):6.7A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 910mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.5nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1700V | |
| 耗散功率(Pd) | 86W | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF | |
| 输出电容(Coss) | 15.3pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥28.7/个 |
| 10+ | ¥24.624/个 |
| 50+ | ¥22.202/个 |
| 100+ | ¥19.751/个 |
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