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1200V碳化硅功率MOSFET
扩展库- 品牌名称
- SICHAIN(清纯)
- 厂家型号
- SG1M160120J
- 商品编号
- C22363612
- 商品封装
- TO-263-7L
- 商品毛重
- 0.0035千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):1.4pF,导通电阻(RDS(on)):160mΩ,导通电阻(RDS(on)):160mΩ@15V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):25.4nC,栅极电荷量(Qg):25.4nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):120W,输入电容(Ciss):617pF,连续漏极电流(Id):21A,阈值电压(Vgs(th)):2.8V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25.4nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25.4nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 输入电容(Ciss) | 617pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥14.103/个 |
| 10+ | ¥11.934/个 |
| 50+ | ¥10.575/个 |
| 100+ | ¥9.189/个 |
| 500+ | ¥8.559/个 |
| 1000+ | ¥8.289/个 |
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