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1200V碳化硅功率MOSFET

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品牌名称: SICHAIN(清纯)
厂家型号: SG1M160120J
商品编号: C22363612
商品封装: TO-263-7L
商品毛重: 0.0035千克(kg)
包装方式: 管装

商品参数

反向传输电容(Crss):1.4pF,导通电阻(RDS(on)):160mΩ,导通电阻(RDS(on)):160mΩ@15V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):25.4nC,栅极电荷量(Qg):25.4nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):120W,输入电容(Ciss):617pF,连续漏极电流(Id):21A,阈值电压(Vgs(th)):2.8V

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属性	参数值	其他
商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	1.4pF
导通电阻(RDS(on))	160mΩ
导通电阻(RDS(on))	160mΩ@15V
工作温度	-55℃~+175℃
栅极电荷量(Qg)	25.4nC
栅极电荷量(Qg)	25.4nC
漏源电压(Vdss)	1200V
类型	1个N沟道
耗散功率(Pd)	120W
输入电容(Ciss)	617pF
连续漏极电流(Id)	21A
阈值电压(Vgs(th))	2.8V

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阶梯价格(含税价)

梯度	售价
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50+	¥10.575/个
100+	¥9.189/个
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整盘

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