反向传输电容(Crss):6pF,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):48nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):312W,输入电容(Ciss):1540pF,连续漏极电流(Id):69A,阈值电压(Vgs(th)):2.8V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 6pF | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 48nC | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
类型 | 1个N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 312W | |
输入电容(Ciss) | 1540pF | |
连续漏极电流(Id) | 69A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥22.17/个 |
10+ | ¥18.95/个 |
50+ | ¥17.04/个 |
100+ | ¥15.11/个 |
500+ | ¥14.21/个 |
1000+ | ¥13.81/个 |
整盘
单价
整盘单价¥15.6768
50 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉68.16元