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IMBG120R090M1HXTMA1-HXY
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- IMBG120R090M1HXTMA1-HXY
- 商品编号
- C45896858
- 商品封装
- TO-263-7L
- 商品毛重
- 0.00174千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):3.9pF,导通电阻(RDS(on)):85mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):40nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):136W,输入电容(Ciss):920pF,输出电容(Coss):57pF,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):3.6V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.9pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF | |
| 输出电容(Coss) | 57pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
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