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碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET

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品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
厂家型号: IMBG120R090M1HXTMA1-HXY
商品编号: C45896858
商品封装: TO-263-7L
商品毛重: 0.00174千克(kg)
包装方式: 编带
ECCN: -

商品参数

反向传输电容(Crss):3.9pF,导通电阻(RDS(on)):85mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):40nC,栅极电荷量(Qg):40nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):136W,输入电容(Ciss):920pF,输出电容(Coss):57pF,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):3.6V

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属性	参数值	其他
商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	3.9pF
导通电阻(RDS(on))	85mΩ
工作温度	-55℃~+175℃
栅极电荷量(Qg)	40nC
栅极电荷量(Qg)	40nC
漏源电压(Vdss)	1200V
耗散功率(Pd)	136W
输入电容(Ciss)	920pF
输出电容(Coss)	57pF
连续漏极电流(Id)	30A
阈值电压(Vgs(th))	3.6V

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阶梯价格(含税价)

梯度	售价
1+	¥31.064/个
10+	¥26.805/个
30+	¥24.2/个
100+	¥22.0264/个
102+	¥22.0264/个
104+	¥22.0264/个

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整盘

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整盘单价¥22.0264

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