反向传输电容(Crss):14pF,导通电阻(RDS(on)):52mΩ,工作温度:-40℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):112nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):326W,输入电容(Ciss):2766pF,输出电容(Coss):125pF,连续漏极电流(Id):65A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 耗散功率(Pd) | 326W | |
| 输入电容(Ciss) | 2766pF | |
| 输出电容(Coss) | 125pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥70.31/个 |
| 10+ | ¥67.0795/个 |
| 50+ | ¥61.484/个 |
| 100+ | ¥56.601/个 |
| 102+ | ¥56.601/个 |
| 104+ | ¥56.601/个 |
整盘
单价
整盘单价¥56.56528
50 PCS/盘
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