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ID:68A VDSS:1200V RDON:40mR N沟道
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- HC1M40120J
- 商品编号
- C41428801
- 商品封装
- TO-263-7L
- 商品毛重
- 0.00222千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):14pF,导通电阻(RDS(on)):40mΩ,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@18V,工作温度:-40℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):112nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):326W,输入电容(Ciss):2766pF,输出电容(Coss):125pF,连续漏极电流(Id):65A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@18V | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 326W | |
| 输入电容(Ciss) | 2766pF | |
| 输出电容(Coss) | 125pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥73.405/个 |
| 10+ | ¥70.178/个 |
| 50+ | ¥64.598/个 |
| 100+ | ¥59.725/个 |
| 102+ | ¥59.725/个 |
| 104+ | ¥59.725/个 |
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