反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):40mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):109nC,栅极电荷量(Qg):109nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):375W,输入电容(Ciss):1960pF,输出电容(Coss):125pF,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 109nC | |
栅极电荷量(Qg) | 109nC | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
类型 | 1个N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 375W | |
输入电容(Ciss) | 1960pF | |
输出电容(Coss) | 125pF | |
连续漏极电流(Id) | 60A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥26.62/个 |
10+ | ¥22.84/个 |
50+ | ¥20.6/个 |
100+ | ¥18.33/个 |
500+ | ¥17.28/个 |
1000+ | ¥16.81/个 |
整盘
单价
整盘单价¥18.952
50 PCS/盘
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