反向传输电容(Crss):7.6pF@50V,导通电阻(RDS(on)):20mΩ@10V,40A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),栅极电荷量(Qg):192nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):625W,输入电容(Ciss):9374pF@50V,输出电容(Coss):37pF,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):5V@1mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.6pF@50V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,40A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 栅极电荷量(Qg) | 192nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 输入电容(Ciss) | 9374pF@50V | |
| 输出电容(Coss) | 37pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@1mA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥25.64/个 |
| 10+ | ¥22.04/个 |
| 30+ | ¥19.89/个 |
| 90+ | ¥17.73/个 |
| 450+ | ¥16.73/个 |
| 900+ | ¥16.28/个 |
整盘
单价
整盘单价¥18.2988
30 PCS/盘
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