反向传输电容(Crss):160pF@25V,导通电阻(RDS(on)):5.2mΩ@4.5V,40A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):18nC@15V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):75W,输入电容(Ciss):1640pF@25V,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 160pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@4.5V,40A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 18nC@15V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 75W | |
输入电容(Ciss) | 1640pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 80A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥4.55/个 |
10+ | ¥4.46/个 |
30+ | ¥4.4/个 |
100+ | ¥4.34/个 |
102+ | ¥4.34/个 |
104+ | ¥4.34/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.9928
2500 PCS/盘
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