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IRF60R217
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IRF60R217
- 商品编号
- C537776
- 商品封装
- DPAK
- 商品毛重
- 0.000437千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):130pF,导通电阻(RDS(on)):8mΩ@10V,35A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):66nC,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):83W,输入电容(Ciss):2170pF,连续漏极电流(Id):58A,配置:-,配置:全桥,阈值电压(Vgs(th)):2.1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,35A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 输入电容(Ciss) | 2170pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 配置 | - | |
| 配置 | 全桥 | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
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