温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
DMG1012T-7-HXY
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- DMG1012T-7-HXY
- 商品编号
- C6285762
- 商品封装
- SOT-523
- 商品毛重
- 0.000028千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):4.5pF,导通电阻(RDS(on)):130mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):0.15W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):0.8A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):0.5V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.15W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.8A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.5V |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
0.0732 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车