反向传输电容(Crss):95pF,导通电阻(RDS(on)):6mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):19nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,耗散功率(Pd):300W,输入电容(Ciss):5506pF,输出电容(Coss):958pF,连续漏极电流(Id):160A,阈值电压(Vgs(th)):2.9V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 输入电容(Ciss) | 5506pF | |
| 输出电容(Coss) | 958pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥8.275/个 |
| 10+ | ¥6.907/个 |
| 30+ | ¥6.156/个 |
| 100+ | ¥5.301/个 |
| 500+ | ¥4.921/个 |
| 800+ | ¥4.75/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.37
800 PCS/盘
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