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NP100P06PLG-E1-AY
扩展库- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 厂家型号
- NP100P06PLG-E1-AY
- 商品编号
- C6943065
- 商品封装
- TO-263
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):6mΩ@10V,50A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):300nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):200W,耗散功率(Pd):1.8W,输入电容(Ciss):15000pF@10V,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,50A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 300nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 15000pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥38.66/个 |
| 10+ | ¥37.73/个 |
| 30+ | ¥37.12/个 |
| 100+ | ¥36.5/个 |
| 102+ | ¥36.5/个 |
| 104+ | ¥36.5/个 |
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