导通电阻(RDS(on)):30mΩ@10V,23A,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):63nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):70W,耗散功率(Pd):1.5W,输入电容(Ciss):3300pF@10V,连续漏极电流(Id):45A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,23A | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 3300pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |