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TSK82N25M
扩展库- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 厂家型号
- TSK82N25M
- 商品编号
- C718686
- 商品封装
- TO-247
- 商品毛重
- 0.0069千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):67pF@25V,导通电阻(RDS(on)):35mΩ@10V,40A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):250V,耗散功率(Pd):550W,输入电容(Ciss):6904pF@25V,连续漏极电流(Id):82A,阈值电压(Vgs(th)):-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V,40A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 耗散功率(Pd) | 550W | |
| 输入电容(Ciss) | 6904pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 82A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
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