导通电阻(RDS(on)):100mΩ@5V,10A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):18nC@5V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):60W,耗散功率(Pd):3.7W,输入电容(Ciss):870pF@25V,连续漏极电流(Id):17A,阈值电压(Vgs(th)):2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@5V,10A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |