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NCE30H10-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- NCE30H10-VB
- 商品编号
- C725120
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.003千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):370pF@15V,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):81.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):175W,输入电容(Ciss):3100pF@15V,连续漏极电流(Id):28.8A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 370pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81.5nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 175W | |
| 输入电容(Ciss) | 3100pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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