反向传输电容(Crss):88pF@25V,导通电阻(RDS(on)):30mΩ@10V,15A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):53nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):110W,输入电容(Ciss):1331pF,连续漏极电流(Id):33A,阈值电压(Vgs(th)):2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,15A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 输入电容(Ciss) | 1331pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.655/个 |
| 10+ | ¥2.916/个 |
| 30+ | ¥2.55/个 |
| 100+ | ¥2.185/个 |
| 500+ | ¥1.972/个 |
| 800+ | ¥1.853/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.853
800 PCS/盘