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IRFZ44NS-HXY
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- IRFZ44NS-HXY
- 商品编号
- C7469134
- 商品封装
- TO-263
- 商品毛重
- 0.001955千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
导通电阻(RDS(on)):10mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):55V,耗散功率(Pd):-,连续漏极电流(Id):49A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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