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IRFB4115PBF-HXY
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- IRFB4115PBF-HXY
- 商品编号
- C7543028
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.002847千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):9.4pF,导通电阻(RDS(on)):9.5mΩ@10V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):45nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,耗散功率(Pd):178.6W,输入电容(Ciss):3310pF,输出电容(Coss):268pF,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 耗散功率(Pd) | 178.6W | |
| 输入电容(Ciss) | 3310pF | |
| 输出电容(Coss) | 268pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.273/个 |
| 10+ | ¥5.211/个 |
| 50+ | ¥3.868/个 |
| 100+ | ¥3.341/个 |
| 500+ | ¥3.026/个 |
| 1000+ | ¥2.865/个 |
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