反向传输电容(Crss):35pF@68V,导通电阻(RDS(on)):3.2mΩ@10V,80A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):135V,耗散功率(Pd):250W,输入电容(Ciss):10371pF@68V,连续漏极电流(Id):160A,阈值电压(Vgs(th)):3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@68V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V,80A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 135V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 输入电容(Ciss) | 10371pF@68V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |