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FDD86113LZ
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDD86113LZ
- 商品编号
- C903587
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 商品毛重
- 0.00004千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):5pF@50V,导通电阻(RDS(on)):104mΩ@10V,4.2A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):6nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):29W,耗散功率(Pd):29W,输入电容(Ciss):285pF@50V,连续漏极电流(Id):5.5A,连续漏极电流(Id):5.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@50V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 104mΩ@10V,4.2A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 输入电容(Ciss) | 285pF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.97/个 |
| 10+ | ¥5.79/个 |
| 30+ | ¥5.14/个 |
| 100+ | ¥4.22/个 |
| 500+ | ¥3.89/个 |
| 1000+ | ¥3.75/个 |
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