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FDD86567-F085
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDD86567-F085
- 商品编号
- C903595
- 商品封装
- DPAK(TO-252)
- 商品毛重
- 0.00041千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):3.2mΩ@10V,80A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):82nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):227W,输入电容(Ciss):4950pF@30V,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2mΩ@10V,80A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 227W | |
| 输入电容(Ciss) | 4950pF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥11.25/个 |
| 10+ | ¥10.99/个 |
| 30+ | ¥10.81/个 |
| 100+ | ¥10.64/个 |
| 102+ | ¥10.64/个 |
| 104+ | ¥10.64/个 |
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