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VB2212N
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VB2212N
- 商品编号
- C967463
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):65pF,导通电阻(RDS(on)):0.09Ω@4.5V,栅极电荷量(Qg):16nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):3W,输入电容(Ciss):620pF,输出电容(Coss):95pF,连续漏极电流(Id):3.5A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.09Ω@4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 输出电容(Coss) | 95pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
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