反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-,数量:-,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,类型:-,耗散功率(Pd):900mW,输入电容(Ciss):510pF,输出电容(Coss):53pF,连续漏极电流(Id):2A,阈值电压(Vgs(th)):1.4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | - | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 900mW | |
输入电容(Ciss) | 510pF | |
输出电容(Coss) | 53pF | |
连续漏极电流(Id) | 2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |