反向传输电容(Crss):8pF,导通电阻(RDS(on)):15mΩ@18V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):210nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):503W,输入电容(Ciss):4760pF,输出电容(Coss):243pF,连续漏极电流(Id):135A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 8pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@18V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 210nC | |
漏源电压(Vdss) | 1200V | |
类型 | 1个N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 503W | |
输入电容(Ciss) | 4760pF | |
输出电容(Coss) | 243pF | |
连续漏极电流(Id) | 135A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |