反向传输电容(Crss):31pF,导通电阻(RDS(on)):15mΩ,导通电阻(RDS(on)):15mΩ@15V,工作温度:-40℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):188nC,漏源电压(Vdss):650V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):416W,输入电容(Ciss):5011pF,输出电容(Coss):289pF,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):2.3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 31pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ | |
导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@15V | |
工作温度 | -40℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 188nC | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | 1个N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 416W | |
输入电容(Ciss) | 5011pF | |
输出电容(Coss) | 289pF | |
连续漏极电流(Id) | 120A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥73.77/个 |
10+ | ¥63.39/个 |
30+ | ¥57.06/个 |
90+ | ¥51.75/个 |
92+ | ¥51.75/个 |
94+ | ¥51.75/个 |
整盘
单价
整盘单价¥52.4952
30 PCS/盘
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