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SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管

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品牌名称: SUPSiC(国晶微半导体)
厂家型号: GC3M0016120D
商品编号: C7435039
商品封装: TO247-3
商品毛重: 0.008249千克(kg)
包装方式: 管装

商品参数

反向传输电容(Crss):13pF,导通电阻(RDS(on)):16mΩ,导通电阻(RDS(on)):16mΩ@15V,栅极电荷量(Qg):207nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):556W,输入电容(Ciss):6085pF,输出电容(Coss):230pF,连续漏极电流(Id):115A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V

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属性	参数值	其他
商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	13pF
导通电阻(RDS(on))	16mΩ
导通电阻(RDS(on))	16mΩ@15V
栅极电荷量(Qg)	207nC
漏源电压(Vdss)	1200V
类型	1个N沟道
耗散功率(Pd)	556W
输入电容(Ciss)	6085pF
输出电容(Coss)	230pF
连续漏极电流(Id)	115A
阈值电压(Vgs(th))	2.5V