反向传输电容(Crss):170pF,导通电阻(RDS(on)):0.031Ω@10V,4.6A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):34nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2.1W,输入电容(Ciss):840pF,输出电容(Coss):340pF,连续漏极电流(Id):-,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.031Ω@10V,4.6A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF | |
| 输出电容(Coss) | 340pF | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |