反向传输电容(Crss):9pF,导通电阻(RDS(on)):385mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):6.8nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):1.92W,输入电容(Ciss):195pF,连续漏极电流(Id):1.5A,阈值电压(Vgs(th)):2.7V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 385mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.92W | |
| 输入电容(Ciss) | 195pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.4/个 |
| 10+ | ¥2.36/个 |
| 30+ | ¥2.33/个 |
| 100+ | ¥2.3/个 |
| 102+ | ¥2.3/个 |
| 104+ | ¥2.3/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.116
1000 PCS/盘
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