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FQT4N25TF
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FQT4N25TF
- 商品编号
- C695271
- 商品封装
- SOT-223
- 商品毛重
- 0.00016千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):6.5pF@25V,导通电阻(RDS(on)):1.75Ω@10V,0.415A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):5.6nC,漏源电压(Vdss):250V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):200pF@25V,连续漏极电流(Id):0.83A,阈值电压(Vgs(th)):5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.75Ω@10V,0.415A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.83A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
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