反向传输电容(Crss):3.5pF,导通电阻(RDS(on)):6Ω@4.5V,0.13A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):50V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):350mW,输入电容(Ciss):25pF,输出电容(Coss):15pF,连续漏极电流(Id):0.13A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@4.5V,0.13A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 输出电容(Coss) | 15pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.13A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.0751/个 |
| 500+ | ¥0.0585/个 |
| 3000+ | ¥0.0493/个 |
| 6000+ | ¥0.0438/个 |
| 24000+ | ¥0.039/个 |
| 51000+ | ¥0.0364/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.0493
3000 PCS/盘