反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):5.2Ω,导通电阻(RDS(on)):5.2Ω,工作温度:-55℃~150℃,工作温度:-55℃~150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,漏源电压(Vdss):-20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.5W,耗散功率(Pd):0.5W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):0.28A,连续漏极电流(Id):-0.28A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4.38V,阈值电压(Vgs(th)):-4.38V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 5.2Ω | |
导通电阻(RDS(on)) | 5.2Ω | |
工作温度 | -55℃~150℃ | |
工作温度 | -55℃~150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
漏源电压(Vdss) | -20V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.5W | |
耗散功率(Pd) | 0.5W | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 0.28A | |
连续漏极电流(Id) | -0.28A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.38V | |
阈值电压(Vgs(th)) | -4.38V |