反向传输电容(Crss):55pF@10V,导通电阻(RDS(on)):270mΩ@2.5V,工作温度:-25℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):4.4nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.5W,输入电容(Ciss):327pF@10V,连续漏极电流(Id):1.3A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -25℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.4nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 327pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.191/个 |
| 200+ | ¥0.149/个 |
| 600+ | ¥0.125/个 |
| 3000+ | ¥0.111/个 |
| 9000+ | ¥0.0989/个 |
| 21000+ | ¥0.0923/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.10212
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉26.64元