导通电阻(RDS(on)):250mΩ@1.8V,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):10nC,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.83W,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@1.8V | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 10nC | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.83W | |
连续漏极电流(Id) | 3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |