温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
DMP32D4S-13
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- DMP32D4S-13
- 商品编号
- C211409
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000028千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):8.88pF,导通电阻(RDS(on)):2.4Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):4Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):0.6nC@4.5V,栅极电荷量(Qg):1.2nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):540mW,输入电容(Ciss):51.16pF,输出电容(Coss):10.85pF,连续漏极电流(Id):300mA,阈值电压(Vgs(th)):2.4V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):2V@1uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.88pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.6nC@4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 540mW | |
| 输入电容(Ciss) | 51.16pF | |
| 输出电容(Coss) | 10.85pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1uA |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
0.556 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车