温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
G180C06Y
扩展库- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 厂家型号
- G180C06Y
- 商品编号
- C19673807
- 商品封装
- TO-252-4
- 商品毛重
- 0.000393千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):234pF,导通电阻(RDS(on)):23mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):19mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):62nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):115W,输入电容(Ciss):4471pF,输出电容(Coss):236pF,连续漏极电流(Id):60A,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):4V,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 234pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 输入电容(Ciss) | 4471pF | |
| 输出电容(Coss) | 236pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
1.93 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车