AP25G04GD实物图
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AP25G04GD

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品牌名称
APM(永源微电子)
厂家型号
AP25G04GD
商品编号
C3011506
商品封装
TO-252-4
商品毛重
0.00049千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
-

商品参数

反向传输电容(Crss):102pF,导通电阻(RDS(on)):26mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):11.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):31.3W,耗散功率(Pd):31.3W,输入电容(Ciss):1415pF,输出电容(Coss):134pF,连续漏极电流(Id):28A,连续漏极电流(Id):25A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA

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属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)102pF
导通电阻(RDS(on))26mΩ@10V
工作温度-55℃~+150℃
数量1个N沟道+1个P沟道
栅极电荷量(Qg)11.5nC@4.5V
漏源电压(Vdss)40V
类型N沟道+P沟道
耗散功率(Pd)31.3W
耗散功率(Pd)31.3W
输入电容(Ciss)1415pF
输出电容(Coss)134pF
连续漏极电流(Id)28A
连续漏极电流(Id)25A
配置-
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA

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