反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):50W,输入电容(Ciss):1027pF@48V,输入电容(Ciss):1080pF@12V,连续漏极电流(Id):20A,连续漏极电流(Id):12A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 50W | |
输入电容(Ciss) | 1027pF@48V | |
输入电容(Ciss) | 1080pF@12V | |
连续漏极电流(Id) | 20A | |
连续漏极电流(Id) | 12A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |