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AGM628MD
扩展库- 品牌名称
- AGM-Semi(芯控源)
- 厂家型号
- AGM628MD
- 商品编号
- C5381832
- 商品封装
- TO-252-4
- 商品毛重
- 0.000389千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):9pF,反向传输电容(Crss):47pF,导通电阻(RDS(on)):28mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):41mΩ@-10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):19nC@10V,栅极电荷量(Qg):25nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):35W,耗散功率(Pd):35W,输入电容(Ciss):770pF,输入电容(Ciss):856pF,输出电容(Coss):112pF,输出电容(Coss):55pF,连续漏极电流(Id):30A,连续漏极电流(Id):25A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):1.7V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@-10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF | |
| 输入电容(Ciss) | 856pF | |
| 输出电容(Coss) | 112pF | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.843/个 |
| 50+ | ¥0.823/个 |
| 150+ | ¥0.81/个 |
| 500+ | ¥0.797/个 |
| 510+ | ¥0.797/个 |
| 520+ | ¥0.797/个 |
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