反向传输电容(Crss):110pF@10V,反向传输电容(Crss):134pF@10V,导通电阻(RDS(on)):53mΩ@10V,14A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):17.4nC@10V,栅极电荷量(Qg):21.1nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):22W,输入电容(Ciss):751pF@10V,输入电容(Ciss):1039pF@10V,连续漏极电流(Id):14A,连续漏极电流(Id):6.8A,配置:共漏,阈值电压(Vgs(th)):1.5V,阈值电压(Vgs(th)):1.7V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 110pF@10V | |
反向传输电容(Crss) | 134pF@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 53mΩ@10V,14A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 17.4nC@10V | |
栅极电荷量(Qg) | 21.1nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 22W | |
输入电容(Ciss) | 751pF@10V | |
输入电容(Ciss) | 1039pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 14A | |
连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
配置 | 共漏 | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |