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DOD603
扩展库- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 厂家型号
- DOD603
- 商品编号
- C42412130
- 商品封装
- TO-252-4
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):45pF,反向传输电容(Crss):75pF,导通电阻(RDS(on)):26mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):80mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):20.3nC@10V,栅极电荷量(Qg):37.6nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):23W,耗散功率(Pd):23W,输入电容(Ciss):1100pF,输入电容(Ciss):1600pF,输出电容(Coss):52pF,输出电容(Coss):90pF,连续漏极电流(Id):16A,连续漏极电流(Id):18A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1.6V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37.6nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 23W | |
| 耗散功率(Pd) | 23W | |
| 输入电容(Ciss) | 1100pF | |
| 输入电容(Ciss) | 1600pF | |
| 输出电容(Coss) | 52pF | |
| 输出电容(Coss) | 90pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.0044/个 |
| 50+ | ¥0.789/个 |
| 150+ | ¥0.696/个 |
| 500+ | ¥0.581/个 |
| 2500+ | ¥0.53/个 |
| 5000+ | ¥0.499/个 |
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单价
整盘单价¥0.4876
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