反向传输电容(Crss):115pF@15V,导通电阻(RDS(on)):25mΩ@10V,19A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):9.8nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):18W,输入电容(Ciss):930pF@15V,连续漏极电流(Id):22A,阈值电压(Vgs(th)):2.8V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 115pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V,19A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道+P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 18W | |
输入电容(Ciss) | 930pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 22A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.0881/个 |
10+ | ¥0.978/个 |
30+ | ¥0.93/个 |
100+ | ¥0.871/个 |
500+ | ¥0.845/个 |
1000+ | ¥0.676/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.657
2500 PCS/盘
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