反向传输电容(Crss):42pF,导通电阻(RDS(on)):20mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):24nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):18.9W,输入电容(Ciss):975pF,输出电容(Coss):142pF,连续漏极电流(Id):24A,阈值电压(Vgs(th)):2.3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 42pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道+P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 18.9W | |
输入电容(Ciss) | 975pF | |
输出电容(Coss) | 142pF | |
连续漏极电流(Id) | 24A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥1.532/个 |
10+ | ¥1.332/个 |
30+ | ¥1.247/个 |
100+ | ¥1.14/个 |
500+ | ¥1.0925/个 |
1000+ | ¥1.064/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.007
2500 PCS/盘
嘉立创补贴5.36%
一盘能省掉142.5元